삼성, 새로운 4F 셀 구조로 10나노 DRAM 한계 돌파…집적도 최대 50% 향상
Samsung Breaks the 10nm DRAM Barrier With New 4F Cell Structure That Boosts Density By Up to 50%
TL;DR AI
1분핵심 요약
삼성전자가 10a DRAM 공정의 웨이퍼를 확보한 것으로 알려지며, DRAM을 10nm 이하 영역으로 끌어내리고 있습니다.
이 공정은 4F 정사각형 셀 구조와 수직 채널 트랜지스터를 적용해 셀 집적도와 효율을 높이는 것이 핵심입니다.
새 공정은 DRAM 밀도를 최대 50%까지 높일 수 있어, AI 하드웨어 수요 확대 속에서 차세대 메모리 주도권 확보에 유리할 수 있습니다.
업계에서는 양산 시점을 2028년으로 보고 있다고 더 일렉은 전했습니다.
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