Z-Angle Memory란 무엇이며 인텔은 왜 이를 개발하고 있나? | Hacker News

Hacker News에서 Intel의 Z-Angle Memory 개념이 논의됐다. 이 설계는 메모리 다이를 수직으로 그대로 관통시키지 않고, 비스듬한 인터커넥트를 사용하는 적층 DRAM 방식이다.

댓글에서는 이 방식이 기존 적층 메모리보다 신호·전류 분산, 메모리 밀도, 열 특성을 개선할 수 있다는 의견이 나왔다.

또한 AI와 고성능 컴퓨팅에서 병목이 되는 대역폭·전력·패키징 문제를 완화할 HBM/TSV 대안으로 주목받고 있다.

다만 일부는 Optane, Xeon Phi 등에서 보였던 Intel의 야심찬 하드웨어 프로젝트가 항상 성공적이지만은 않았다고 지적했다.