삼성, 차세대 DRAM 돌파 위해 NAND 기술 차용… SK hynix는 수직 적층으로 AI 메모리 전쟁 승부수
Samsung Borrows NAND Trick to Crack Next-Gen DRAM, While SK hynix Bets on Vertical Stacking to Win the AI Memory War
TL;DR AI
1분핵심 요약
삼성은 차세대 DRAM에 NAND식 제조 아이디어와 GAAFET 개념을 적용하려 하고 있다.
SK하이닉스는 수직 적층형 4F² 구조를 차세대 DRAM 방식으로 시험하고 있다.
두 회사는 향후 DRAM 표준으로 자사 설계가 채택되도록 경쟁 중이다.
최종 승자는 AI 데이터센터 수요로 재편되는 메모리 시장에서 전략적 우위를 차지할 수 있다.
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