SK하이닉스, QLC NAND 용량 2배·속도 향상 공개 - PC Perspective
SK hynix Bringing Double Capacity and Faster Speed to QLC NAND - PC Perspective
TL;DR AI
1분핵심 요약
SK하이닉스 321층 2Tb QLC NAND 양산을 발표했다, sK하이닉스가 발표한 내용.
321층 QLC NAND 쓰기 성능이 최대 56% 향상됐다 이전 QLC 제품과의 비교.
읽기 성능이 18% 향상됐다 이전 QLC 제품과의 비교.
쓰기 전력 효율이 23% 이상 증가했다 쓰기 동작의 전력 효율 측정.
NAND 칩 설계 칩 내 plane 수를 4개에서 6개로 늘려 병렬 처리를 확대했다 칩 내부 구조 변경.