삼성, 첫 900단 V-NAND 프로토타입으로 1000단 NAND에 한 걸음 더… 450단 셀 2개를 하나로 적층
Samsung leaps toward 1,000-layer NAND with first 900-layer V-NAND prototype, stacking two 450-layer cells into one
TL;DR AI
1분핵심 요약
삼성전자가 Cell Multi-Bonding(CMB) 기술로 첫 900단 V-NAND 프로토타입을 개발했다.
450단 셀 웨이퍼 2장을 결합하는 방식으로, 휨과 정렬 문제를 해결했다.
이번 성과로 삼성은 1000단 NAND에 한 걸음 더 다가서게 됐다.
SSD 용량 확대 가능성과 함께 SK하이닉스·YMTC와의 경쟁도 더 치열해질 전망이다.