화웨이, ASML의 최첨단 장비 없이도 1.4nm 칩 제작 가능하다고 밝혀

화웨이는 ASML의 최신 리소그래피 장비 없이도 2031년까지 1.4nm급 트랜지스터 밀도에 도달할 수 있는 칩 설계 방식을 개발 중이라고 밝혔다.

이 방식은 회로 적층과 내부 재설계를 활용하며, 화웨이는 이를 향후 Kirin 칩에 적용할 계획이다.

성공할 경우 화웨이의 ASML 및 다른 핵심 공급사 의존도를 낮추고, 미국의 수출 통제 아래서도 대안이 될 수 있다.

또한 최첨단 EUV 장비 접근이 제한된 상황에서 고급 반도체를 만드는 다른 경로를 제시할 수 있다.